前沿导读 据观察者网指出，SK海力士正在申请出口许可，试图为中国大连的合资闪存工厂采购制造设备，提升制造技术。 此前SK海力士旗下的子品牌将在美国建设两座闪存工厂，但是建设工厂制造芯片需要大量资金，提升中国工厂的产能，研发更先进的技术产品有助于创造收入，为美国工厂提供资金。可西方的出口管制一直禁止韩国企业在华工厂的技术升级和产能提升，双方仍在谈判阶段。 技术升级 SK海力士希望为其中国大连工厂申请美国设备出口许可证，给出的理由是：只有让大连工厂满产并升级到更先进的NAND制程，才能产生足够收入，为该公司旗下Solidigm计划在纽约州马西投资约450亿美元建设两座NAND工厂提供资金。 然而，美国商务部副部长杰弗里·凯斯勒在上周的会议上重申了立场：美国不打算允许更多美国芯片制造设备进入中国市场，用于技术升级或扩大产能。 简单来说，西方也希望韩国存储企业去美国建厂造芯片，但是拒绝为韩国企业提供更多的资金扶持。而韩国存储芯片的大部分产能都由中国工厂制造，美国又不允许先进制造设备流入中国市场，这导致韩国企业陷入两头堵的局面。 本身存储芯片市场处于缺货状态，产能扩充是当下尤为重要的事情。 2023年，西方曾给予三星和SK海力士中国工厂“经验证最终用户”（VEU）资格，允许其在无需逐批申请的情况下进口部分受控设备。 2025年，这一待遇被撤销，改为年度许可证制度，并在2025年8月的声明中明确表示：不打算向在华晶圆厂发放用于技术升级或产能扩张的许可证。 中国工厂被封锁先进设备，去美国建设工厂扩充产能就成为了一个选择。 不过SK海力士在中国大连的闪存芯片工厂，其洁净室早在2023年就已建成，现在正处于购买设备材料进行投产的时期，并不需要新建工厂。该工厂是SK海力士在2020年以90亿美元从英特尔手中收购的NAND资产，本就承载着该公司在NAND领域与铠侠、美光竞争的战略意义。 SK海力士在无锡建设的工厂主要生产DRAM内存，不涉及NAND闪存。再加上大连工厂之前就是英特尔造闪存芯片的地方，厂房标准、生产线技术、供应链体系都与闪存芯片息息相关，所以大连工厂就成为了当下SK海力士扩产闪存芯片的最佳选择。 相比投入大量资金从头建设美国工厂，采购制造设备重启大连工厂才是效率最高的方案。 一座已经建成但制造设备没有到位的工厂，会被锁定在低利用率、低技术代际的运营状态。对于一个以规模效应和技术迭代为核心竞争力的存储芯片行业而言，“维持现状”本身就是一种缓慢的竞争力流失。 进退两难 从SK海力士的角度看，其目前的困局是其全球产能布局在物理和商业层面都无法与在华业务做干净的切割。 SK海力士的无锡工厂承担DRAM生产，也是其身最大规模的海外生产基地。 据行业估算显示，SK海力士无锡工厂约占其DRAM产量的35%至40%。如果制造NAND芯片的大连工厂二期投产，那么SK海力士的中国NAND产能将继续扩大50%。 中国工厂已经成为SK海力士闪存和内存的核心制造基地，大连工厂不但不是可以轻易牺牲的边缘资产，反而还是其NAND全球竞争格局中的关键节点。 SK海力士的选择实际上相当狭窄，放弃美国工厂计划，意味着错失美国存储芯片本土化布局的窗口期。而缩减大连工厂的投资建设，意味着在NAND超级周期中让出市场份额，而这一周期正由AI数据中心对高容量固态存储的需求驱动。 寻找美国设备之外的中国供应商进行替代，这是在理论上是第三条路。此前也有报道指出三星和SK海力士正在评估中微公司的刻蚀设备，并有意在中国工厂中引进中国设备制造芯片，但两家韩国公司均对该信息进行否认。 SK海力士的大连工厂升级受阻，带来的直接效果就是在中国NAND市场上的供给能力受到抑制。 而填补市场缺口的，恰恰是受美国设备管制影响最深、却通过技术路径创新实现了持续迭代的中国长江存储。 据Counterpoint Research数据显示，2026年第二季度长江存储NAND出货量已升至全球第三，份额约14%至17%，仅次于三星和SK海力士。其营收份额在四个季度内从9%升至14%，部分季度同比增幅高达478%。 更值得注意的是，长江存储在中国本土市场的份额在2026年第二季度达到38.5%，超过了三星的33.5%和SK海力士的17%，成为中国市场上最大的闪存芯片供应商。 换言之，美国对先进设备的管制，并未阻止长江存储在NAND领域缩小差距，而是阻止了SK海力士这类在华外资工厂以最直接的方式维持技术代际优势的能力。 在限制一个目标的同时，为另一个竞争者创造了相对有利的竞争条件。出口管制的实际产业效果，与“延缓中国技术升级”的宣称目标之间，存在一条需要认真对待的因果缝隙。 特别
